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Samsung は SSD に関して独自のやり方を貫くことがよくあります。 SSD 850 Pro には、3D VNAND メモリという新しいテクノロジーも使用されています。
サムスンは現在、SSD 分野で明確な市場リーダーであり、この地位を達成するはずですSSD850プロまだテスト中です。市場調査機関ガートナーの予測によると、韓国企業は世界のSSD売上高のほぼ30%を生み出している。その理由の 1 つは、確かに、グループが SSD コンポーネントと開発の大部分を自社で処理し、他のメーカーやサプライヤーにほとんど依存していないことです。
新しい記憶セルもSSD850プロコントローラーチップと同様にサムスン独自の生産から来ています。私たちは、Samsung の新しいハイエンド SSD の 256 GB バージョン (160 ユーロ) を詳しく調べ、成功した (現在も入手可能な) 前モデルと比較しました。SSD840プロ(140ユーロ)もSSD840エボ(110ユーロ)そして切り替える価値があるかどうかを明らかにします。
近年、Samsung が SSD の売上を大幅に伸ばすことができただけでなく、他のメモリ メーカーも大幅な利益を上げています。業界は、ますます多くのゲーマー、PC、およびノートブックの所有者がコンピュータをアップグレードし、高速フラッシュ メモリを搭載しているという事実から恩恵を受けています。
2011 年の初めには、GameStar 読者の約 3 分の 1 だけが SSD を所有していましたが、この数字は現在 70% 以上に増加しています。これは、容量が大幅に増加した一方で、価格が大幅に下落したためです。たとえば、80 GB SSD の価格は、5 年前には約 200 ユーロでした。現在、同じ価格で 512 GB のストレージ容量を備えたモデルがすでに存在しており、これらのモデルも動作が大幅に高速になっています。
Samsung SSD 850 Pro は 4 つの異なる容量 (128、256、512 GB または 1.0 テラバイト) で利用可能です。
価格の下落は、一方では SSD の需要の急激な増加と現在では同様に増加している SSD の供給によるものですが、主に SSD、特にメモリ チップの最適化された製造プロセスによるものでもあります。
当初は、SLC (「シングル レベル セル」) メモリが主に使用されていました。 SLC セルには 2 つの充電状態 (「レベル」) があります。これらのレベル (0 または 1) は、SLC セルごとに 1 ビットを格納するために使用されます。現在では MLC ストレージ (「マルチ レベル セル」) が主に使用されていますが、安価なことから人気の SSD 840 Evo も TLC ストレージ (「トリプル レベル セル」) を使用しています。
2 つ (SLC) の代わりに、MLC と TLC は 4 つまたは 6 つの異なる充電状態を区別し、セルあたり 2 ビットまたは 3 ビットを保存します。これにより、同じ SSD 容量で材料コストが大幅に削減されますが、個々のセルにかかる負荷も大きくなります。
Samsung SSD 840 Evo と同様に、中央の MEX コントローラー チップには 400 MHz でクロックする 3 つの ARM Cortex コアが搭載されています。
容量をさらに増やしてコストを削減するために、ストレージの製造プロセスは近年継続的に改善されています。グラフィックス カードやプロセッサー用のチップ生産と同様に、SSD 用の半導体チップも縮小し続けています。従来、半導体はチップ上で互いに平らに並べられ、格子パターンを形成します。交点は実際のメモリセルを表します。
現行のSamsung SSD 840 Evoでは、2009年以降、半導体素子の構造幅が50ナノメートルから19ナノメートルに縮小されている。これによりグリッドが狭くなり、より多くの半導体を同じシリコン ディスク (「ウェーハ」と呼ばれる) 上に搭載できるようになり、歩留まりが向上し、コストが削減されます。しかし、サムスンによれば、構造幅は現在20nm未満で臨界点に達しているという。
構造が小さいため、セルが吸収できる電子はますます少なくなり、区別するのが難しい電荷による干渉の影響を受けやすくなります。さらに、近接したメモリセル間の干渉がますます頻繁に発生しており、電荷が失われ、情報が失われる可能性があります。
10 年保証 – 3D VNAND
したがって、サムスンは独自の道を歩み、SSD 850 Proで初めて「3D垂直NAND」メモリと呼ばれるものを使用しています。メモリセルは、互いに隣り合って配置されるだけでなく、互いに積み重ねられても配置されます。セルの長さと幅をさらに縮小する代わりに、サムスンは合計 32 のセル層を互いに積み重ねています。
積み重ねられた構成要素のように、セルは円筒形の塔を形成するようになり、より多くのセルを 1 つのウェーハ表面に収容できることになります。さらに、垂直配置により、サムスンは比較的粗く現在では実際には時代遅れとなった 40 nm の製品を使用することができます。
これは、最新の 20 nm 生産よりもコスト効率が高い一方で、Samsung によれば、SSD の寿命にも非常に良い影響を与えるとのことです。 40 nm セルは、大幅に多くの書き込みサイクルを処理できると考えられており、電荷損失や干渉に関する問題が大幅に少なくなります。
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その結果、Samsung は SSD 850 Pro を 1 日あたり 40 GB のワークロードで宣伝し、寛大な 10 年間の保証を与えています。Samsung は、同じくハイエンドセグメントにある前世代の SSD 840 Pro には 5 年間しか保証していません。 SSD 840 Evo では 3 つだけです。さらに、VNAND ストレージを搭載した SSD 850 Pro は、エネルギー効率が約 20% 優れていると言われています。
従来品と同様、過熱によるデータ損失を防ぐ「Dynamic Thermal Guard」機能も搭載しています。望ましくないアクセスからデータをさらに保護するために、256 ビット コーディングを使用したハードウェア サポートにより、SSD 850 Pro のコンテンツを通常どおり暗号化できます。